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Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
比较
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
总分
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
33
左右 18% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.7
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.8
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
33
读取速度,GB/s
13.2
14.7
写入速度,GB/s
8.4
8.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2163
2498
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
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