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Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
比较
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB vs Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
总分
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
47
左右 43% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.2
9.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.4
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
12800
10600
左右 1.21% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
27
47
读取速度,GB/s
13.2
9.3
写入速度,GB/s
8.4
5.9
内存带宽,mbps
12800
10600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
排名PassMark (越多越好)
2163
1413
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB RAM的比较
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
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Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
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