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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
比较
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB vs V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
总分
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
总分
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
63
左右 60% 更低的延时
需要考虑的原因
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.8
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
63
读取速度,GB/s
12.8
17.0
写入速度,GB/s
8.3
8.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1896
2061
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
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