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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
比较
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
总分
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
差异
规格
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差异
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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
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Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
25
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.3
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
24
读取速度,GB/s
12.8
15.3
写入速度,GB/s
8.3
10.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1896
2541
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB RAM的比较
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
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