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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
比较
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
总分
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
总分
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
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Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
73
左右 -170% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.3
4.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
27
读取速度,GB/s
6.1
17.3
写入速度,GB/s
4.7
15.3
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1021
3632
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
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