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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
比较
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
总分
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
总分
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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需要考虑的原因
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
73
左右 -232% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.8
4.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
22
读取速度,GB/s
6.1
15.7
写入速度,GB/s
4.7
7.8
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1021
2493
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
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