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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
比较
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
总分
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
总分
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
43
73
左右 -70% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.6
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
4.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
8500
左右 3.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
43
读取速度,GB/s
6.1
11.6
写入速度,GB/s
4.7
11.2
内存带宽,mbps
8500
25600
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1021
2615
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
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Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
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