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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
比较
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
总分
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
总分
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
73
左右 -103% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.3
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.8
4.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
8500
左右 3.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
36
读取速度,GB/s
6.1
21.3
写入速度,GB/s
4.7
16.8
内存带宽,mbps
8500
25600
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1021
3610
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
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Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
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