RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB

Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB vs Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB

总分
star star star star star
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB

Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB

总分
star star star star star
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB

Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB 需要考虑的原因
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    28 left arrow 34
    左右 18% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    16.6 left arrow 15.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    13.7 left arrow 10.7
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 19200
    左右 1.11% 更高的带宽
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB 需要考虑的原因
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
报告一个错误

规格

完整的技术规格清单
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    28 left arrow 34
  • 读取速度，GB/s
    16.6 left arrow 15.4
  • 写入速度，GB/s
    13.7 left arrow 10.7
  • 内存带宽，mbps
    21300 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    3007 left arrow 2739

Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB RAM的比较

Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB RAM的比较

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
内存RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
内存RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
内存RAM
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
内存RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
内存RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
内存RAM
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
内存RAM
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
内存RAM
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
内存RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
内存RAM
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
内存RAM
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
内存RAM
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
内存RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
内存RAM