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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
比较
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB vs Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
总分
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
总分
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
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Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
37
左右 -32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.3
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.8
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
28
读取速度,GB/s
12.0
18.3
写入速度,GB/s
7.5
15.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1853
3535
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
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G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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