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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
比较
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB vs Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
总分
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
总分
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
52
左右 29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12
10.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.7
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
52
读取速度,GB/s
12.0
10.5
写入速度,GB/s
7.5
7.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1853
2236
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kllisre 0000 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
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