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Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
比较
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB vs Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
总分
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
总分
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
36
左右 31% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
15
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
10.3
9.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
36
读取速度,GB/s
15.5
15.0
写入速度,GB/s
9.7
10.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2650
2569
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
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