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Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
比较
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
总分
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
总分
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
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规格
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Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
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G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
43
左右 -39% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.7
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
31
读取速度,GB/s
13.9
17.2
写入速度,GB/s
8.4
15.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2322
3652
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
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