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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
比较
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB vs Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
总分
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
总分
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
28
左右 7% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.2
12.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.3
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
28
读取速度,GB/s
14.2
12.2
写入速度,GB/s
8.5
9.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2277
2382
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
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