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Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
比较
Kingston 9905622-057.A00G 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
总分
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
总分
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
77
左右 58% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
13.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
5.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
32
77
读取速度,GB/s
16.0
13.1
写入速度,GB/s
11.8
5.5
内存带宽,mbps
17000
19200
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2563
1440
Kingston 9905622-057.A00G 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB RAM的比较
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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AMD R744G2606U1S 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
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