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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
比较
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB vs G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
总分
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
总分
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
34
左右 3% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.6
9.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
9.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
34
读取速度,GB/s
9.1
15.6
写入速度,GB/s
9.9
14.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2279
3465
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
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