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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
比较
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Kllisre DDR4-8GB 8GB
总分
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
总分
Kllisre DDR4-8GB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
46
左右 11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.9
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.7
8.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kllisre DDR4-8GB 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
46
读取速度,GB/s
13.9
11.4
写入速度,GB/s
9.7
8.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2366
2311
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB RAM的比较
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Kllisre DDR4-8GB 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
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