RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
比较
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB vs Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
总分
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
总分
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
报告一个错误
需要考虑的原因
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
33
左右 -3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.6
9.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.8
9.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
32
读取速度,GB/s
9.1
18.6
写入速度,GB/s
9.9
15.8
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2279
3851
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB RAM的比较
Kingston 9965516-071.A00LF 16GB
Kingston 9965516-001.B00LF 8GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link