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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
比较
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
总分
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
31
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.4
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.6
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
31
读取速度,GB/s
13.2
15.4
写入速度,GB/s
8.6
9.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2196
2554
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB RAM的比较
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
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