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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
比较
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
总分
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
差异
规格
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G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
27
左右 -8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.6
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
25
读取速度,GB/s
13.2
16.2
写入速度,GB/s
8.6
12.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2196
3187
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB RAM的比较
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Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
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