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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
比较
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
总分
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
总分
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
37
左右 27% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.2
13
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.6
7.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
37
读取速度,GB/s
13.2
13.0
写入速度,GB/s
8.6
7.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2196
2512
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB RAM的比较
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
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