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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
比较
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
总分
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
总分
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
28
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.1
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
28
读取速度,GB/s
13.2
17.1
写入速度,GB/s
8.6
13.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2196
2833
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
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