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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
比较
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
总分
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
总分
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
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需要考虑的原因
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
18
27
左右 -50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.5
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.2
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
18
读取速度,GB/s
13.2
20.5
写入速度,GB/s
8.6
16.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2196
3564
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
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