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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
27
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.5
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.3
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
26
读取速度,GB/s
11.8
19.5
写入速度,GB/s
7.3
15.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
3635
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Kingston KHYXPX-MID 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
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