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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
比较
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
总分
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
总分
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,061.2
10.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
46
左右 -44% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
32
读取速度,GB/s
4,937.3
15.9
写入速度,GB/s
2,061.2
10.6
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
759
2240
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston XWM8G1-MIE 32GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
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AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
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