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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
比较
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB vs G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
总分
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
总分
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
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规格
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G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
30
左右 -20% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
18.3
6.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
25
读取速度,GB/s
9.8
17.4
写入速度,GB/s
6.4
18.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1927
3731
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
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Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
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