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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
比较
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
总分
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
总分
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
101
左右 70% 更低的延时
需要考虑的原因
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.1
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
6.7
6.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
101
读取速度,GB/s
9.8
12.1
写入速度,GB/s
6.4
6.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1927
1382
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
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