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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
比较
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB vs Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
总分
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
总分
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
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规格
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Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
69
左右 -156% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.2
6.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.3
3.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
27
读取速度,GB/s
6.4
19.2
写入速度,GB/s
3.7
15.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1129
3584
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB RAM的比较
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Samsung M391B5773DH0-CK0 2GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
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Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
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