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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
比较
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB vs Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
总分
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
总分
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
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规格
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Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
69
左右 -109% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
6.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.4
3.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
33
读取速度,GB/s
6.4
16.9
写入速度,GB/s
3.7
10.4
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1129
3035
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB RAM的比较
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Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
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