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Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
比较
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
总分
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
38
左右 29% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.8
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
7.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
38
读取速度,GB/s
11.2
14.8
写入速度,GB/s
7.1
13.7
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1936
2843
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
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