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Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
比较
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB vs Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
总分
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
总分
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
44
77
左右 43% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
14.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.6
1,769.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
77
读取速度,GB/s
4,482.7
14.7
写入速度,GB/s
1,769.9
7.6
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
525
1688
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
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