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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
比较
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB vs Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
总分
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
总分
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
28
左右 11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
13
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.8
9.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
28
读取速度,GB/s
15.7
13.0
写入速度,GB/s
9.8
9.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2388
2586
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
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