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Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
比较
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
总分
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
总分
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
37
左右 27% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.3
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.3
7.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
37
读取速度,GB/s
13.3
10.4
写入速度,GB/s
8.3
7.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2320
2213
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB RAM的比较
Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB RAM的比较
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
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