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Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
比较
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB vs Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
总分
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
总分
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.2
6.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
42
左右 -31% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.8
12.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
32
读取速度,GB/s
12.2
13.8
写入速度,GB/s
7.2
6.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2063
1844
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
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