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Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
比较
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
总分
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
42
左右 -40% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
12.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.4
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
30
读取速度,GB/s
12.2
16.1
写入速度,GB/s
7.2
10.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2063
2479
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
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