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Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
比较
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB vs I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
总分
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
总分
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.2
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.2
5.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
42
左右 -62% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
26
读取速度,GB/s
12.2
11.8
写入速度,GB/s
7.2
5.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2063
1884
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
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