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Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
比较
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB vs Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
总分
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
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需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
42
左右 -62% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.1
12.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
26
读取速度,GB/s
12.2
14.1
写入速度,GB/s
7.2
10.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2063
2679
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
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Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
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