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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
比较
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
总分
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
总分
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,036.1
15.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
75
左右 -142% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
75
31
读取速度,GB/s
3,986.4
16.3
写入速度,GB/s
2,036.1
15.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
714
3205
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB RAM的比较
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
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