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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
38
左右 -90% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.5
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
20
读取速度,GB/s
16.7
21.0
写入速度,GB/s
10.0
17.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
3619
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
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