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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
比较
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
总分
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
总分
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,036.1
12.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
53
75
左右 -42% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
75
53
读取速度,GB/s
3,986.4
14.0
写入速度,GB/s
2,036.1
12.0
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
714
3020
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
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