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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,076.1
11.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
59
左右 -127% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
26
读取速度,GB/s
4,723.5
16.0
写入速度,GB/s
2,076.1
11.6
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
2650
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RAM Latency Calculator
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
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