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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
50
左右 34% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
8.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
50
读取速度,GB/s
17.6
10.6
写入速度,GB/s
12.0
8.8
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
2393
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
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