RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
50
Около 34% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.6
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
8.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
50
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
10.6
Скорость записи, Гб/сек
12.0
8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
2393
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link