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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
比较
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
总分
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
总分
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,036.1
12.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
75
左右 -134% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
75
32
读取速度,GB/s
3,986.4
16.8
写入速度,GB/s
2,036.1
12.1
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
714
2641
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Kingston 9965525-153.A00LF 8GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
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