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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
比较
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
总分
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
总分
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
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规格
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差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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需要考虑的原因
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
42
左右 -110% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.9
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
20
读取速度,GB/s
12.8
18.9
写入速度,GB/s
8.3
14.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2095
3022
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB RAM的比较
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SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8KTF51264AZ-1G6E1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Strontium SRP2G86U1-S6M 2GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
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