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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
INTENSO M418039 8GB

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB vs INTENSO M418039 8GB

总分
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

总分
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INTENSO M418039 8GB

INTENSO M418039 8GB

差异 规格 评论

差异

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB 需要考虑的原因
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
报告一个错误
  • 更快的写入速度，GB/s
    8.3 left arrow 7.4
    测试中的平均数值
INTENSO M418039 8GB 需要考虑的原因
INTENSO M418039 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    20 left arrow 42
    左右 -110% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    16 left arrow 12.8
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 12800
    左右 1.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
INTENSO M418039 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    42 left arrow 20
  • 读取速度，GB/s
    12.8 left arrow 16.0
  • 写入速度，GB/s
    8.3 left arrow 7.4
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2095 left arrow 2414

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB RAM的比较

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Kingston 9965662-016.A00G 16GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
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内存RAM
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
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内存RAM
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
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内存RAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
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内存RAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
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Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
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内存RAM
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
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内存RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
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内存RAM
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
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Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
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内存RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
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Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
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内存RAM
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
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Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
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内存RAM
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