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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
比较
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB vs Kingston KTD3KX-MIB 8GB
总分
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
总分
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.3
6.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
42
左右 -62% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13
12.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
26
读取速度,GB/s
12.8
13.0
写入速度,GB/s
8.3
6.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2095
1931
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB RAM的比较
Kingston 9905402-664.A00LF 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
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