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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
比较
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB vs SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
总分
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
总分
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
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规格
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需要考虑的原因
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
42
左右 -83% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
23
读取速度,GB/s
12.8
17.2
写入速度,GB/s
8.3
12.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2095
3017
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB RAM的比较
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Team Group Inc. ZEUS-1600 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
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