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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
比较
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB vs SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
总分
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
总分
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
63
左右 33% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.8
10
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.3
7.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
63
读取速度,GB/s
12.8
10.0
写入速度,GB/s
8.3
7.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2095
2162
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
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