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Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
比较
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
总分
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
总分
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
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Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
42
左右 -20% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.1
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.6
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
35
读取速度,GB/s
12.8
15.1
写入速度,GB/s
8.1
9.6
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2123
2502
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
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Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
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